Transistores, IGBT

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Transistores de potencia e IGBT – interruptores semiconductores para la electrónica de potencia y los accionamientos

Los transistores de potencia e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) son los principales elementos semiconductores activos en los convertidores de frecuencia, inversores, choppers y equipos de soldadura. En el amplio surtido de RGB Elektronika encontrará módulos IGBT discretos y transistores individuales de los fabricantes Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, ON Semiconductor, IXYS y Vishay – desde MOSFETs discretos de baja tensión (30 V/100 A) hasta módulos IGBT de alta tensión (1.200 V/2.400 A) para potencias de accionamiento de hasta varios megavatios.

Tipos importantes de transistores e IGBT

  • IGBT discretos individuales – encapsulado TO-247/TO-264/D2PAK; 600 V/650 V/1.200 V; 10–200 A; tecnología trench gate; para frecuencias de conmutación hasta 150 kHz
  • Módulos IGBT semipuente – 600 V–1.700 V; 25–2.400 A; diodos de libre circulación integrados; configuraciones single, dual y 6-pack; zócalo estándar Infineon/Semikron
  • Módulos MOSFET SiC – carburo de silicio; 650 V/1.200 V/1.700 V; RDS(on) ultra bajo; frecuencias de conmutación hasta 500 kHz; para inversores fotovoltaicos de alta eficiencia y sistemas de carga VE
  • CI driver de puerta – drivers bootstrap, drivers de puerta con aislamiento galvánico; corriente de salida 2 A–15 A; protección DESAT; Miller Clamp; para topologías semipuente y puente completo

¿Por qué comprar transistores de potencia en RGB Elektronika?

  • Semiconductores originales – distribuidor autorizado Infineon, Mitsubishi, Fuji; sin falsificaciones; garantía completa del fabricante y trazabilidad
  • Asesoramiento técnico – ayuda para elegir el IGBT/MOSFET/SiC correcto según tensión, corriente, frecuencia de conmutación y requisitos térmicos
  • Entrega rápida – tipos estándar en stock; envío 24–48 h; urgente posible; sin pedido mínimo
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